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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | PSMN1R6-30MLHX |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 160A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2.369nF @ 15V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 106W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LFPAK33 |
| Paket / Fall | SOT-1210, 8-LFPAK33 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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PSMN102-200Y,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN130-200D,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 20A DPAK | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN165-200K,518 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1 | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN1R0-25YLDX | Nexperia USA Inc. | PSMN1R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 | 1500 | Einzelheiten | |
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PSMN1R0-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | 3000 | Einzelheiten | |
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PSMN1R0-30YLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN1R0-40ULDX | Nexperia USA Inc. | PSMN1R0-40ULD/SOT1023/4 LEADS | - | 57349 | Einzelheiten |
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PSMN1R0-40YLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN1R1-25YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | 4500 | Einzelheiten | |
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PSMN1R1-30EL,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK | 4823 | Einzelheiten | |
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PSMN1R1-30PL,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB | 4260 | Einzelheiten | |
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PSMN1R1-40BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | 0 | Einzelheiten |