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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | PMPB95ENEA/FX |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.1A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14.9nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 504pF @ 40V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.6W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-DFN2020MD (2x2) |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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PMPB95ENEA/FX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 4.1A 6DFN2020MD | - | 344889 | Einzelheiten |
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PMPB95ENEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220 | 0 | Einzelheiten |