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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | PMCPB5530X,115 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5.3A, 3.4A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 21.7nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 10V |
| Leistung max | 490mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | DFN2020-6 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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PMCPB5530X,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON | 0 | Einzelheiten |