JANSD2N2907A

SMALL-SIGNAL BJT
JANSD2N2907A P1
JANSD2N2907A P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ JANSD2N2907A

Artikelnummer
JANSD2N2907A
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
SMALL-SIGNAL BJT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- JANSD2N2907A PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer JANSD2N2907A
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 600mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Leistung max 500mW
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Lieferantengerätepaket TO-18

Verwandte Produkte

Alle Produkte