JANS1N5806US

DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
JANS1N5806US P1
JANS1N5806US P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ JANS1N5806US

Artikelnummer
JANS1N5806US
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer JANS1N5806US
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 150V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 875mV @ 1A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 25ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 1µA @ 150V
Kapazität @ Vr, F 25pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SQ-MELF, A
Lieferantengerätepaket D-5A
Betriebstemperatur - Kreuzung -65°C ~ 175°C

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