MT47H128M4SH-25E:H TR

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
MT47H128M4SH-25E:H TR P1
MT47H128M4SH-25E:H TR P1
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Micron Technology Inc. ~ MT47H128M4SH-25E:H TR

Artikelnummer
MT47H128M4SH-25E:H TR
Hersteller
Micron Technology Inc.
Beschreibung
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Artikelnummer MT47H128M4SH-25E:H TR
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR2
Speichergröße 512Mb (128M x 4)
Taktfrequenz 400MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 15ns
Zugriffszeit 400ps
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket 60-FBGA (8x10)

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