MT41K256M16LY-107:N

IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ
MT41K256M16LY-107:N P1
MT41K256M16LY-107:N P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Micron Technology Inc. ~ MT41K256M16LY-107:N

Artikelnummer
MT41K256M16LY-107:N
Hersteller
Micron Technology Inc.
Beschreibung
IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- MT41K256M16LY-107:N PDF online browsing
Familie
Speicher
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer MT41K256M16LY-107:N
Teilstatus Obsolete
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR3L
Speichergröße 4Gb (256M x 16)
Taktfrequenz 933MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 20ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket 96-FBGA (7.5x13.5)

Verwandte Produkte

Alle Produkte