MT40A256M16GE-075E AUT:B

IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ
MT40A256M16GE-075E AUT:B P1
MT40A256M16GE-075E AUT:B P1
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Micron Technology Inc. ~ MT40A256M16GE-075E AUT:B

Artikelnummer
MT40A256M16GE-075E AUT:B
Hersteller
Micron Technology Inc.
Beschreibung
IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Artikelnummer MT40A256M16GE-075E AUT:B
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR4
Speichergröße 4Gb (256M x 16)
Taktfrequenz 1.33GHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.14V ~ 1.26V
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TC)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket 96-FBGA (14x9)

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