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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BAV199DW-TP |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Diodenkonfiguration | 2 Pair Series Connection |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 85V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 160mA (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 3µs |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5nA @ 75V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-363 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BAV100-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | - | 2500 | Einzelheiten |
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BAV100-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | - | 0 | Einzelheiten |
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BAV101 L0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 250V 200MA MINIMELF | - | 2421329 | Einzelheiten |
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BAV101 L1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 250V 200MA MINIMELF | - | 2656723 | Einzelheiten |
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BAV101-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80 | - | 0 | Einzelheiten |
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BAV101-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80 | - | 0 | Einzelheiten |
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BAV102 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 150V 200MA LL34 | - | 5000 | Einzelheiten |
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BAV102,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS | 0 | Einzelheiten | |
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BAV102,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS | 0 | Einzelheiten | |
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BAV102-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80 | - | 5000 | Einzelheiten |
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BAV102-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD80 | - | 0 | Einzelheiten |
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BAV102-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN 150V 200MA MINI MELF | - | 0 | Einzelheiten |