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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IXTX6N200P3HV |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 2000V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 143nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3700pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 960W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 3A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247HV |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IXTX600N04T2 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247 | 0 | Einzelheiten | |
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IXTX60N50L2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247 | 110 | Einzelheiten | |
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IXTX6N200P3HV | IXYS | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF | - | 32 | Einzelheiten |