IXFT15N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
IXFT15N100Q3 P1
IXFT15N100Q3 P1
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IXYS ~ IXFT15N100Q3

Artikelnummer
IXFT15N100Q3
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IXFT15N100Q3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 4mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3250pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 690W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.05 Ohm @ 7.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268
Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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