Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IXFH9N80Q |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 180W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 500mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD (IXFH) |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXF611P1 | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IXF611S1 | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IXF611S1T/R | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IXFA102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
 |
IXFA10N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK | - | 142 | Einzelheiten |
 |
IXFA10N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 10A TO-263 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IXFA110N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
 |
IXFA12N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK | 0 | Einzelheiten | |
 |
IXFA12N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH | - | 27614 | Einzelheiten |
 |
IXFA130N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
 |
IXFA130N10T2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IXFA130N15X3 | IXYS | MOSFET N-CH | - | 12123 | Einzelheiten |