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IDT, Integrated Device Technology Inc ~ 71V416L10YG

Artikelnummer	71V416L10YG
Teilstatus	Active
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	SRAM
Technologie	SRAM - Asynchronous
Speichergröße	4Mb (256K x 16)
Taktfrequenz	-
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	10ns
Zugriffszeit	10ns
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	3 V ~ 3.6 V
Betriebstemperatur	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket	44-SOJ

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Auf Lager	Aussicht
71V416L10BE	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA	0	Einzelheiten
71V416L10BE8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA	0	Einzelheiten
71V416L10BEG	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA	0	Einzelheiten
71V416L10BEG8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA	0	Einzelheiten
71V416L10PHG	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP	4874	Einzelheiten
71V416L10PHG8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP	0	Einzelheiten
71V416L10PHGI	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP	137	Einzelheiten
71V416L10PHGI8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP	0	Einzelheiten
71V416L10YG	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ	0	Einzelheiten
71V416L10YG8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ	0	Einzelheiten
71V416L10YGI	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ	0	Einzelheiten
71V416L10YGI8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ	0	Einzelheiten