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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SPD100N03S2L-04 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 100µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 89.7nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3320pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 150W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 50A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO252-5 |
| Paket / Fall | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SPD100N03S2L-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A DPAK | 0 | Einzelheiten | |
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SPD100N03S2L04T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A DPAK | 0 | Einzelheiten |