IRLR8259TRPBF

MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
IRLR8259TRPBF P1
IRLR8259TRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRLR8259TRPBF

Artikelnummer
IRLR8259TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRLR8259TRPBF.pdf IRLR8259TRPBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRLR8259TRPBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 57A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 13V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 48W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 8.7 mOhm @ 21A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D-Pak
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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