IRF9389PBF

MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
IRF9389PBF P1
IRF9389PBF P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ IRF9389PBF

Artikelnummer
IRF9389PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer IRF9389PBF
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6.8A, 4.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 10µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 398pF @ 15V
Leistung max 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO

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