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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IRF5852TRPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.7A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 15V |
| Leistung max | 960mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IRF510 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | - | 0 | Einzelheiten |
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IRF510L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 | - | 0 | Einzelheiten |
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IRF510PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | - | 8110 | Einzelheiten |
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IRF510S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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IRF510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 4528 | Einzelheiten |
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IRF510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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IRF510STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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IRF510STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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IRF510STRRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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IRF520 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 | 0 | Einzelheiten | |
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IRF520N | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB | 0 | Einzelheiten | |
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IRF520NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 | 0 | Einzelheiten |