IKB30N65ES5ATMA1

INDUSTRY 14
IKB30N65ES5ATMA1 P1
IKB30N65ES5ATMA1 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ IKB30N65ES5ATMA1

Artikelnummer
IKB30N65ES5ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
INDUSTRY 14
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- IKB30N65ES5ATMA1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer IKB30N65ES5ATMA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 62A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 120A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 30A
Leistung max 188W
Energie wechseln 560µJ (on), 320µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 70nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 17ns/124ns
Testbedingung 400V, 30A, 13 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 75ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263AB)

Verwandte Produkte

Alle Produkte