BSZ0909NDXTMA1

MOSFET 2N-CH 30V 20A 8WISON
BSZ0909NDXTMA1 P1
BSZ0909NDXTMA1 P1
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Infineon Technologies ~ BSZ0909NDXTMA1

Artikelnummer
BSZ0909NDXTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8WISON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer BSZ0909NDXTMA1
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 2.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 15V
Leistung max 17W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Lieferantengerätepaket PG-WISON-8

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