Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BSZ036NE2LSATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta), 40A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.6 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.1W (Ta), 37W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TSDSON-8-FL |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ036NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
BSZ036NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8 | - | 180068 | Einzelheiten |