BSO130P03S H

MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
BSO130P03S H P1
BSO130P03S H P1
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Infineon Technologies ~ BSO130P03S H

Artikelnummer
BSO130P03S H
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer BSO130P03S H
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 140µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3520pF @ 25V
Vgs (Max) ±25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.56W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 11.7A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket P-DSO-8
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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