GP1M003A080CH

MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
GP1M003A080CH P1
GP1M003A080CH P1
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Global Power Technologies Group ~ GP1M003A080CH

Artikelnummer
GP1M003A080CH
Hersteller
Global Power Technologies Group
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer GP1M003A080CH
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 800V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 696pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 94W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak)
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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