FDMS3606AS

MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56
FDMS3606AS P1
FDMS3606AS P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDMS3606AS

Artikelnummer
FDMS3606AS
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer FDMS3606AS
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 13A, 27A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1695pF @ 15V
Leistung max 1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket Power56

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