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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | 2N5550TFR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 600mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 140V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Leistung max | 625mW |
| Frequenz - Übergang | 300MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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2N5000 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 593 | Einzelheiten |
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2N5001 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 593 | Einzelheiten |
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2N5002 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Einzelheiten |
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2N5003 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Einzelheiten |
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2N5004 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Einzelheiten |
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2N5005 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Einzelheiten |
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2N5010 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6990 | Einzelheiten |
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2N5011 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 5951 | Einzelheiten |
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2N5012 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6639 | Einzelheiten |
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2N5012S | Microsemi Corporation | TRANSISTOR NPN TO-39 | - | 21999 | Einzelheiten |
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2N5013 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6639 | Einzelheiten |
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2N5013S | Microsemi Corporation | TRANSISTOR NPN TO-39 | - | 6364 | Einzelheiten |