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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | ZXMN3A04DN8TC |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6.5A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 12.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 36.8nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1890pF @ 15V |
| Leistung max | 1.81W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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ZXMN3A01E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMN3A01E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMN3A01FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3 | - | 147000 | Einzelheiten |
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ZXMN3A01FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMN3A01ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89 | - | 1000 | Einzelheiten |
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ZXMN3A02N8TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMN3A02N8TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 8SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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ZXMN3A02X8TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMN3A02X8TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMN3A03E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6 | - | 42000 | Einzelheiten |
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ZXMN3A03E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMN3A04DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | - | 500 | Einzelheiten |