ZXMHC10A07T8TA

MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
ZXMHC10A07T8TA P1
ZXMHC10A07T8TA P1
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Diodes Incorporated ~ ZXMHC10A07T8TA

Artikelnummer
ZXMHC10A07T8TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer ZXMHC10A07T8TA
Teilstatus Active
FET Typ 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1A, 800mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 138pF @ 60V
Leistung max 1.3W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-223-8
Lieferantengerätepaket SM8

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