ZXMC3A18DN8TA

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
ZXMC3A18DN8TA P1
ZXMC3A18DN8TA P1
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Diodes Incorporated ~ ZXMC3A18DN8TA

Artikelnummer
ZXMC3A18DN8TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer ZXMC3A18DN8TA
Teilstatus Obsolete
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5.8A, 4.8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V
Leistung max 1.8W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOP

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