Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | ZXGD3104N8TC |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Angetriebene Konfiguration | High-Side or Low-Side |
| Kanaltyp | Single |
| Anzahl der Treiber | 1 |
| Tortyp | N-Channel MOSFET |
| Spannungsversorgung | 5 V ~ 25 V |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Aktuell - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 2.5A, 7A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 480ns, 50ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXGD3001E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
ZXGD3001E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | - | 3000 | Einzelheiten |
 |
ZXGD3002E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | - | 6000 | Einzelheiten |
 |
ZXGD3003E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
ZXGD3003E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | - | 3000 | Einzelheiten |
 |
ZXGD3004E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | - | 6000 | Einzelheiten |
 |
ZXGD3005E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 | - | 39000 | Einzelheiten |
 |
ZXGD3006E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
ZXGD3006E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | - | 6000 | Einzelheiten |
 |
ZXGD3009DYTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT363 | - | 123000 | Einzelheiten |
 |
ZXGD3009E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | - | 6000 | Einzelheiten |
 |
ZXGD3101N8TC | Diodes Incorporated | IC SYNCH MOSFET CNTRLR 4A 8SO | - | 0 | Einzelheiten |