DMTH10H015SPSQ-13

MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50
DMTH10H015SPSQ-13 P1
DMTH10H015SPSQ-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMTH10H015SPSQ-13

Artikelnummer
DMTH10H015SPSQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer DMTH10H015SPSQ-13
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 8.4A (Ta), 50.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 30.1nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2343pF @ 50V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.5W (Ta), 55W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI5060-8
Paket / Fall 8-PowerTDFN

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