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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | DMT10H025SK3-13 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 41.2A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 21.4nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1544pF @ 50V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.4W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-252, (D-Pak) |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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DMT10H009LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | - | 120813 | Einzelheiten |
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DMT10H009SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | - | 136503 | Einzelheiten |
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DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TO220AB | - | 127 | Einzelheiten |
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DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A | - | 0 | Einzelheiten |
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DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SO-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMT10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 | - | 111325 | Einzelheiten |
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DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO | - | 0 | Einzelheiten |
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DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | - | 0 | Einzelheiten |
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DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | - | 0 | Einzelheiten |
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DMT10H015LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A | - | 0 | Einzelheiten |
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DMT10H015LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A | - | 0 | Einzelheiten |