DMS3019SSD-13

MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO
DMS3019SSD-13 P1
DMS3019SSD-13 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Diodes Incorporated ~ DMS3019SSD-13

Artikelnummer
DMS3019SSD-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer DMS3019SSD-13
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 7A, 5.7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1932pF @ 15V
Leistung max 1.19W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC

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