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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | DMP10H4D2S-7 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 270mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 87pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 380mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4.2 Ohm @ 500mA, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SOT-23 |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |