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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | DMNH4011SPSQ-13 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 12.9A (Ta), 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1405pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 150W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 50A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerDI5060-8 |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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DMNH4005SCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V TO220-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMNH4005SCTQ | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V TO220AB | - | 3750 | Einzelheiten |
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DMNH4005SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 | - | 5000 | Einzelheiten |
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DMNH4006SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 18A TO252 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMNH4006SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 20A TO252 | - | 7500 | Einzelheiten |
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DMNH4006SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 40V 110A POWERDI | - | 2500 | Einzelheiten |
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DMNH4011SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 50A TO252 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMNH4011SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 50A TO252 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMNH4011SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 40V 13A POWERDI | - | 5000 | Einzelheiten |
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DMNH4011SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 40V 12.9A POWERDI | - | 0 | Einzelheiten |
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DMNH4015SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMNH4015SSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET ARRAY N-CH 40V 8.6A 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |