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Diodes Incorporated ~ DMN65D8L-7

Artikelnummer	DMN65D8L-7
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	310mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	0.87nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	22pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	370mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 115mA, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-23
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
DMN6013LFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8	-	0	Einzelheiten
DMN6013LFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8	-	2000	Einzelheiten
DMN6013LFGQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI	-	0	Einzelheiten
DMN6013LFGQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI	-	0	Einzelheiten
DMN6017SFV-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333	-	205203	Einzelheiten
DMN6017SK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252	-	241937	Einzelheiten
DMN601DMK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26	-	0	Einzelheiten
DMN601DWK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363	-	6000	Einzelheiten
DMN601DWKQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHAN 41V 60V SOT363	-	807109	Einzelheiten
DMN601K-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3	-	120000	Einzelheiten
DMN601TK-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523	-	0	Einzelheiten
DMN601VK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563	-	0	Einzelheiten