DMN1029UFDB-13

MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
DMN1029UFDB-13 P1
DMN1029UFDB-13 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Diodes Incorporated ~ DMN1029UFDB-13

Artikelnummer
DMN1029UFDB-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer DMN1029UFDB-13
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 19.6nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 914pF @ 6V
Leistung max 1.4W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket U-DFN2020-6 (Type B)

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