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Diodes Incorporated ~ BAS21TWQ-7

Artikelnummer	BAS21TWQ-7
Teilstatus	Active
Diodenkonfiguration	3 Independent
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	250V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)	200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.25V @ 200mA
Geschwindigkeit	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	100nA @ 200V
Betriebstemperatur - Kreuzung	-65°C ~ 150°C
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket	SOT-363

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
BAS20	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GP 200V 200MA SOT23-3	-	0	Einzelheiten
BAS20 RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	-	1755335	Einzelheiten
BAS20,215	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23		12000	Einzelheiten
BAS20,235	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23		0	Einzelheiten
BAS20-7	Diodes Incorporated	DIODE GP 150V 200MA SOT23-3	-	0	Einzelheiten
BAS20-7-F	Diodes Incorporated	DIODE GP 150V 200MA SOT23-3	-	0	Einzelheiten
BAS20-E3-08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	-	0	Einzelheiten
BAS20-E3-18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	-	0	Einzelheiten
BAS20-G3-08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	-	0	Einzelheiten
BAS20-G3-18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	-	0	Einzelheiten
BAS20-HE3-08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	-	0	Einzelheiten
BAS20-HE3-18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	-	0	Einzelheiten