2N1131

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
2N1131 P1
2N1131 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Central Semiconductor Corp ~ 2N1131

Artikelnummer
2N1131
Hersteller
Central Semiconductor Corp
Beschreibung
THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer 2N1131
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 600mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 15mA, 150mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 150mA, 10V
Leistung max 2W
Frequenz - Übergang 50MHz
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Lieferantengerätepaket TO-39

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