TSM60N1R4CH C5G

MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
TSM60N1R4CH C5G P1
TSM60N1R4CH C5G P1
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Taiwan Semiconductor Corporation ~ TSM60N1R4CH C5G

부품 번호
TSM60N1R4CH C5G
제조사
Taiwan Semiconductor Corporation
기술
MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
- TSM60N1R4CH C5G PDF online browsing
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
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제품 매개 변수

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부품 번호 TSM60N1R4CH C5G
부품 상태 Not For New Designs
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 7.7nC @ 10V
Vgs (최대) ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 370pF @ 100V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 38W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
공급 업체 장치 패키지 TO-251 (IPAK)
패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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