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| 부품 번호 | BZD27C9V1PHR3G |
|---|---|
| 부품 상태 | Not For New Designs |
| 전압 - 제너 (Nom) (Vz) | 9.05V |
| 공차 | ±6.07% |
| 전력 - 최대 | 1W |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 4 Ohms |
| 전류 - Vr의 역 누설 | 10µA @ 5V |
| 전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.2V @ 200mA |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-219AB |
| 공급 업체 장치 패키지 | Sub SMA |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BZD27B100P-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | 세부 |
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BZD27B100P-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | 세부 |
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BZD27B100P-HE3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | 세부 |
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BZD27B100P-HE3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | 세부 |
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BZD27B100P-M3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | 세부 |
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BZD27B100P-M3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | 세부 |
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BZD27B10P-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 0 | 세부 |
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BZD27B10P-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 0 | 세부 |
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BZD27B10P-HE3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 627239 | 세부 |
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BZD27B10P-HE3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 0 | 세부 |
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BZD27B10P-M3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 0 | 세부 |
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BZD27B10P-M3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 0 | 세부 |