RJH60D5DPK-00#T0

IGBT 600V 75A 200W TO3P
RJH60D5DPK-00#T0 P1
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Renesas Electronics America ~ RJH60D5DPK-00#T0

부품 번호
RJH60D5DPK-00#T0
제조사
Renesas Electronics America
기술
IGBT 600V 75A 200W TO3P
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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가족
트랜지스터 - IGBT - 단일
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제품 매개 변수

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부품 번호 RJH60D5DPK-00#T0
부품 상태 Active
IGBT 형 Trench
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 75A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) -
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 37A
전력 - 최대 200W
스위칭 에너지 650µJ (on), 400µJ (off)
입력 유형 Standard
게이트 차지 78nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 50ns/135ns
시험 조건 300V, 37A, 5 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) 100ns
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-3P-3, SC-65-3
공급 업체 장치 패키지 TO-3P

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