APTMC120TAM34CT3AG

POWER MODULE - SIC MOSFET
APTMC120TAM34CT3AG P1
APTMC120TAM34CT3AG P1
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Microsemi Corporation ~ APTMC120TAM34CT3AG

부품 번호
APTMC120TAM34CT3AG
제조사
Microsemi Corporation
기술
POWER MODULE - SIC MOSFET
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
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제품 매개 변수

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부품 번호 APTMC120TAM34CT3AG
부품 상태 Active
FET 유형 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능 Silicon Carbide (SiC)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 74A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 50A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 15mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 161nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2788pF @ 1000V
전력 - 최대 375W
작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Chassis Mount
패키지 / 케이스 Module
공급 업체 장치 패키지 SP3

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