IXYK200N65B3

IGBT
IXYK200N65B3 P1
IXYK200N65B3 P1
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IXYS ~ IXYK200N65B3

부품 번호
IXYK200N65B3
제조사
IXYS
기술
IGBT
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
- IXYK200N65B3 PDF online browsing
가족
트랜지스터 - IGBT - 단일
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제품 매개 변수

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부품 번호 IXYK200N65B3
부품 상태 Active
IGBT 형 -
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 650V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 410A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) 1100A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 100A
전력 - 최대 1560W
스위칭 에너지 5mJ (on), 4mJ (off)
입력 유형 Standard
게이트 차지 340nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 60ns/370ns
시험 조건 400V, 100A, 0 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) 108ns
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-264-3, TO-264AA
공급 업체 장치 패키지 TO-264

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