IXTR102N65X2

MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
IXTR102N65X2 P1
IXTR102N65X2 P1
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IXYS ~ IXTR102N65X2

부품 번호
IXTR102N65X2
제조사
IXYS
기술
MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
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제품 매개 변수

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부품 번호 IXTR102N65X2
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 650V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 54A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 152nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 10900pF @ 25V
Vgs (최대) ±30V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 330W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 51A, 10V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
공급 업체 장치 패키지 ISOPLUS247™
패키지 / 케이스 ISOPLUS247™

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