IXKC20N60C

MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
IXKC20N60C P1
IXKC20N60C P1
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IXYS ~ IXKC20N60C

부품 번호
IXKC20N60C
제조사
IXYS
기술
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
- IXKC20N60C PDF online browsing
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
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제품 매개 변수

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부품 번호 IXKC20N60C
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 114nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2400pF @ 25V
Vgs (최대) ±20V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) -
Rds On (최대) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 16A, 10V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
공급 업체 장치 패키지 ISOPLUS220™
패키지 / 케이스 ISOPLUS220™

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