NE851M03-A

TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-363
NE851M03-A P1
NE851M03-A P1
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CEL ~ NE851M03-A

부품 번호
NE851M03-A
제조사
CEL
기술
TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-363
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
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제품 매개 변수

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부품 번호 NE851M03-A
부품 상태 Obsolete
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 5.5V
빈도 - 전환 4.5GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
이득 -
전력 - 최대 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 1V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 100mA
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 업체 장치 패키지 SOT-363

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