W632GG8MB-09

IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ
W632GG8MB-09 P1
W632GG8MB-09 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Winbond Electronics ~ W632GG8MB-09

Artikelnummer
W632GG8MB-09
Hersteller
Winbond Electronics
Beschreibung
IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer W632GG8MB-09
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR3
Speichergröße 2Gb (128M x 16)
Taktfrequenz 1066MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 20ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 78-VFBGA
Lieferantengerätepaket 78-VFBGA (10.5x8)

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