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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SQJ200EP-T1_GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 20A, 60A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8.8 mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 975pF @ 10V |
| Leistung max | 27W, 48W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SQJ200EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO | - | 3000 | Einzelheiten |
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SQJ202EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO | - | 3000 | Einzelheiten |
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SQJ204EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L | - | 102107 | Einzelheiten |