Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SIZ988DT-T1-GE3 |
---|---|
Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Standard |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc), 60A (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 10A, 10V, 4.1 mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V |
Leistung max | 20.2W, 40W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
Lieferantengerätepaket | 8-PowerPair® |