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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI4850BDY-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8.4A (Ta), 11.3A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 19.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 4.5W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SI4850BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V SO-8 | - | 141653 | Einzelheiten |
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SI4850EY-T1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4850EY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4850EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC | - | 2500 | Einzelheiten |