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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI3460BDV-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2W (Ta), 3.5W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SI3460-E02-GM | Silicon Labs | IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN | 0 | Einzelheiten | |
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SI3460-E02-GMR | Silicon Labs | IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN | 0 | Einzelheiten | |
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SI3460-E03-GM | Silicon Labs | IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN | 0 | Einzelheiten | |
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SI3460-E03-GMR | Silicon Labs | IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN | 0 | Einzelheiten | |
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SI3460BDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP | - | 12000 | Einzelheiten |
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SI3460BDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP | - | 0 | Einzelheiten |
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SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP | - | 0 | Einzelheiten |
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SI3460DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP | - | 3000 | Einzelheiten |
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SI3460DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP | - | 0 | Einzelheiten |